光化學反應儀主要用于研究氣相或液相介質、固定或流動體系、紫外光或模擬可見光照、以及反應容器是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應。具有提供分析反應產物和自由基的樣品，測定反應動力學常數，測定量子產率等功能，廣泛應用化學合成、環(huán)境保護以及生命科學等研究領域
光化學、干膜、曝光及顯影制程術語手冊1、Absorption 領受，吸入
指被領受物會進入主體的內部，是一種化學式的吸入步履。如光化反映中的光能領受，或板材與綠漆對溶劑的吸入等。還有一近似詞 Adsorption 則是指吸附而言，只附著在主體的概略，是一種物理式的親和吸附。
2、Actinic Light(or Intensity，or Radiation) 有用光
指用以完成光化反映各類光線中，其Z有用波長規(guī)模的光而言。例如在360～420 nm 波長規(guī)模的光，對偶氮棕片、淺顯吵嘴底片及重鉻酸鹽感光膜等，其等反映均Z快Z且功用Z大，謂之有用光。
3、Acutance 解像尖銳度
是指各類由感光編制所取得的圖像，其線條邊緣的尖銳景象抽象 (Sharpness)，此與解像度 Resolution 不合。后者是指在必定寬度距離中，可以了了的顯像(Develope)解出若干良多多少組“線對”而言(Line Pair，系指一條線路及一個空間的組合)，普簡易稱只說解出機條“線”而已。
4、Adhesion Promotor 附出力增進劑
多指干膜中所添加的某些化學品，能促使其與銅面發(fā)生“化學鍵”，而增進其與底材間之附出力者皆謂之。
5、Binder 粘結劑
各類積層板中的接著樹脂部份，或干膜之阻劑中，所添加用以“成形”而不致太“散”的接著及組成劑類。
6、Blur Edge(Circle)恍惚邊帶，恍惚邊圈
多層板各內層孔環(huán)與孔位之間在做瞄準度搜檢時，可把持 X光透視法為之。由于X光之光源與其機組均非平行光之機關，故所得圓墊(Pad)之減少回憶，其邊緣之解像其實不明銳了了，稱為 Blur Edge。
7、Break Point 出像點，顯像點
指制程中已有干膜貼附的“在制板”，于自動保送線顯像室上下噴液中遏制顯像時，抵達其完成沖洗而閃現出了了圖形的“旅程點”，謂之“Break Point”。所經歷過的沖洗旅程，以占顯像室長度的 50~75% 之間為好，如斯可以使剩下旅途中的清水沖洗，更能增強斷根殘膜的成果。
8、Carbon Arc Lamp 碳弧燈
晚期電路板底片的翻制或版膜的分娩時，為其曝光所用的光源之一，是在中心迫近的碳精棒之間，施加高電壓而發(fā)生弧光的拆卸。
9、Clean Room 無塵室、潔凈室
是一個遭到賣力經管及精采把握的房間，其溫度、濕度、壓力都可加以調劑，且氣氛中的塵埃及臭氣已予以消弭，為半導體及細線電路板分娩制造必需的景象抽象。淺顯“潔凈度”的表達，是以每“立方呎”的氣氛中，含有大于0.5μm以上的塵粒數目，做為分級的尺度，又為儉仆成本起見，常只在使命臺面上設置部門無塵的景象抽象，以嘗試必需的使命，稱 Clean Benches。
10、Collimated Light 平行光
以感光法遏制回憶轉移時，為添加底片與板面間，在圖案上的變形走樣起見，應采納平行光遏制曝光制程。這類平行光是經由屢次反射折射，而取得低熱量且近似平行的光源，稱為Collimated Light，為細線路建筑必需的裝備。由于垂直于板面的平行光，對板面或景象抽象中的少許塵埃都很是緩慢，常會忠誠的暗示在所曬出的回憶上，構成許多額定的漏洞錯誤，反不如淺顯散射或漫射光源可以也許自彼此補而消彌，故采納平行光時，必需還要無塵室的合營才行。此時底片與待曝光的板面之間，已無需再做抽真空的密接(Close Contact)，而可間接使用較嚴重的 Soft Contact或Off Contact了。
11、Conformity吻合性，服貼性
完成零件壞配的板子， 為使整片板子外形遭到賣力的呵護起見，再以絕緣性的涂料予以封護涂裝，使有更好的信賴性。淺顯軍用或較高條理的拆卸板，才會用到這類外形貼護層。
12、Declination Angle 斜射角
由光源所間接射下的光線，或經各類折射反射過程后，再行射下的光線中，凡閃現不垂直射在受光面上，而與“垂直法線”呈某一斜角者(即圖中之 a角)該斜角即稱 Declination Angle。當此斜光打在干膜阻劑邊緣所組成的“小孔相機”并經 Mylar 折光下，會泛起另外一“平行光”之半角(Collimation HalfAngle，CHA)。但凡“細線路”曝光所邃密精彩的“高平行度”的曝光機時，其所呈的“斜射角”應小于 1.5 度，其“平行半角”也須小于 1.5 度。
13、Definition 邊緣傳神度
在以感光法或印刷法遏制圖形或回憶轉移時，所取得的下一代圖案，其線路或各導體的邊緣，是不是能泛起齊直而又忠于原底片之外形，稱為“邊緣齊直性”或傳神度“Definition”。
14、Densitomer 透光度計
是一種對吵嘴底片之透光度(Dmin)或遮光度(Dmax)遏制丈量之儀器，以搜檢該底片之劣化水平若何。其經常使用的品牌如 X-Rite 369 等于。
15、Developer 顯像液，顯影液，顯像機
用以沖洗掉未感光聚合的膜層，而留下已感光聚合的阻劑層圖案，其所用的化學品溶液稱為顯像液,如干膜制程所用的碳酸鈉(1％)溶液等于。
16、Developing 顯像，顯影
是指感光回憶轉移過程中，由母片翻制子片時稱為顯影。但對下一代像片或干膜圖案的閃現作業(yè)，則應稱為“顯像”。既然是由底片上的“影”轉移成為板面的“像”，雖然就該當稱為“顯像”，而不宜再續(xù)稱底片階段的“顯影”，這是淺而易見的事理?？墒菢I(yè)界積非成是習用已久，一時興不茍且更正。日文則稱此為“現像”。
17、Diazo Film 偶氮棕片
是一種有棕色阻光膜的底片，為干膜回憶轉移時，在紫外光中公用的曝光用具(Phototool)。這類偶氮片即使在棕色的遮光區(qū),也能在“可見光”中透視現實片下的板面景象抽象，比吵嘴底片要便當的多。
18、Dry Film 干膜
是一種做為電路板回憶轉移用的干性感光薄膜阻劑,還有 PE 及 PET 兩層皮膜將之夾心呵護。現場施工時可將 PE 的隔離層撕掉，讓中心的感光阻劑膜壓貼在板子的銅面上,在經由底片感光后即可再撕掉 PET 的表護膜，遏制沖洗顯像而組成線路圖形的部門阻劑，進而可再嘗試蝕刻(內層)或電鍍(外層)制程，Z初在蝕銅及剝膜后，即取得有裸銅線路的板面。
19、Emulsion Side藥膜面
吵嘴底片或 Diazo 棕色底片，在 Mylar 通明片基 ( 經常使用者有 4 mil 與7 mil 兩種)的一個概略上涂有薄的感光乳膠(Emulsion) 層，做為回憶轉移的前言對象。當從已有圖案的母片要翻照出“光性”相反的子片時，必需謹遵“藥面貼藥面” ( Emulsion to Emulsion ) 的基來歷根抵則，以消弭因片基厚度而泛起的折光，添加更生畫面的變形走樣。
20、Exposure 曝光
把持紫外線(UV)的能量，使干膜或印墨中的光敏物資遏制光化學反映，以抵達遴選性部門架橋軟化的成果，完成回憶轉移的手段稱為曝光。
21、Foot 殘足
指干膜在顯像今后部份決計留下阻劑，其根部與銅面接觸的死角處，在顯像時不茍且沖洗干凈而殘留的余角(Fillet)，稱為Foot或Cove。當干膜太厚或曝光能量貧乏時，常會泛起殘足，將對線寬構成影響。
22、Halation環(huán)暈
指曝光制程中領受光照之圖案概略，其外緣常組成明暗之間的環(huán)暈。成因是光線穿過半通明之被照體而抵達另外一面，受反射折光回到背面來，即泛起混沌不清的邊緣地帶。
23、Half Angle 半角
此詞的正式稱號是 Collimation Half Angle“平行光半角”。 是指曝光機所射下的“斜光”，抵達底片上回憶圖案的邊緣，由此“邊緣”所發(fā)生“小孔拍照機”效應，而將“斜光”擴大成“發(fā)散光”其擴大角度的一半，謂之“平行光半角”(CHA)，簡稱“半角”。
24、Holding Time 停置時辰
當干膜在板子銅面上完成壓膜步履后，需停置 15～30 分鐘，使膜層與銅面之間發(fā)生更強的附出力；而經曝光后也要再停置 15～30 分鐘，讓已感光的部份膜體，延續(xù)遏制的架橋聚合反映，以便耐得住顯像液的沖洗，此兩者皆謂之“停置時辰”。